互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件是其中P溝道和N溝道增強(qiáng)MOSFET以推挽式布置連接的芯片。CMOS的基本連接如圖所示。
N溝道和P溝道CMOS連接
上圖顯示了各種CMOS連接，尤其是N溝道和P溝道CMOS連接。
在該電路中，兩個(gè)MOSFET（P溝道MOSFET和N溝道MOSFET）串聯(lián)連接，使P溝道器件的源極連接到正電源+VDD，并連接N溝道器件的源極到地面。兩個(gè)器件的柵極作為公共輸入連接，兩個(gè)器件的漏極端子作為公共輸出連接在一起。
當(dāng)輸入保持在0伏特的低電平時(shí)，MOSFET T1的柵極相對于源極S處于負(fù)電位。因此，MOSFET T1將導(dǎo)通，其電阻RON= 1千歐姆，而柵極MOSFET T2相對于其源極為0伏。所以T2將關(guān)閉，其電阻RSoff = 10 ^ 10歐姆。這兩個(gè)電阻都像一個(gè)分壓器，其輸出約為+VDD伏
在其他情況下，當(dāng)輸入保持在+VDD伏特的高電平時(shí)，則MOSFET T1的柵極相對于源極處于零電位，因此T1 將關(guān)斷，其電阻R0FF= 10 ^ 10歐姆 MOSFET T2的柵極相對于其源極處于正電位，因此MOSFET T2 將導(dǎo) 通，其電阻RON = 1 Kilo Ohm。在這種情況下，輸出約為0伏。
CMOS波形
上圖顯示了CMOS管工作原理 - 輸出波形。
除了從+VDD到零電壓或從零上升到+VDD的短時(shí)間外，P溝道MOSFET（或PMOST）和N溝道MOSFET（或NMOS）的串聯(lián)組合關(guān)閉一個(gè)晶體管然后從電源中抽出電流。因此，CMOS電路與輸入或高或低操作 而繪圖沒有從供電除了在短暫的時(shí)間，而與高和低輸出電平之間的切換，當(dāng)兩個(gè)晶體管為ON為一個(gè)被接通其他 是 關(guān)斷。實(shí)際上，CMOS電路的功耗在直流條件下為零，隨著施加的信號頻率增加而增加，因?yàn)殡娐犯l繁地切換。
CMOS器件主要用于數(shù)字電路，工作時(shí)提供0 V或+VDD（+ 5 V）輸出，同時(shí)從電源獲取非常少的功率。大多數(shù)低功耗IC（集成電路）使用CMOS內(nèi)置晶體管。圖中所示的曲線給出了輸入和輸出電壓之間的關(guān)系。
CMOS的優(yōu)勢
CMOS的主要優(yōu)點(diǎn)是功耗非常小，通常為50 nW。
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