MOS管驅動電路
MOS驅動，有幾個特別的需求：
1.低壓應用
當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候,我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定風險。
同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
2.寬電壓應用
輸入電壓并不是一個固定值,它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅動電壓是不穩定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓,就會引起較大的靜態功耗。
同時,如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會出現輸入電壓比較高的時候, MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時候gate電壓不足,引起導通不夠徹底,從而增加功耗。
3.雙電壓應用
在一些控制電路中,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。
這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的MOS管，同時高壓側的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。
在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現成的MOS驅動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結構。
一個相對通用的電路來滿足這三種需求。
電路圖如下：
圖1用于NMOS的驅動電路
圖2用于PMOS的驅動電路
這里針對NMOS驅動電路做一個簡單分析：
Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。
Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩只驅動管Q3和Q4不會同時導通。
R2和R3提供了PWM電壓基準,通過改變這個基準,可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。
Q3和Q4用來提供驅動電流，由于導通的時候, Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降,這個壓降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反饋電阻,用于對gate電壓進行采樣,采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋,從而把gate電壓限制在一個有限的數值。這個數值可以通過R5和R6來調節。
最后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制, R4提供了對MOS管的gate電流限制, 也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯加速電容。
這個電路提供了如下的特性:
1.用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。
2.用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。
3.gate電壓的峰值限制。
4.輸入和輸出的電流限制。
5.通過使用合適的電阻,可以達到很低的功耗。
6.PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性,可以通過前置一個反相器來解決。
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