雪崩失效
雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。
雪崩失效：MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
下圖為雪崩測試的等效原理圖：
雪崩失效的預防措
雪崩失效歸根結底是電壓失效，可以參考以下的方式來處理。
1.合理降額使用，目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。
2.合理的變壓器反射電壓。
3.合理的RCD及TVS吸收電路設計。
4.大電流布線盡量采用粗、短的布局結構，盡量減少布線寄生電感。
5.選擇合理的柵極電阻Rg。
6.在大功率電源中，可以根據需要適當的加入RC減震或齊納二極管進行吸收。
SOA失效
SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。
關于SOA各個線的參數限定值可以參考下圖：
1.受限于最大額定電流及脈沖電流
2.受限于最大節(jié)溫下的RDSON。
3.受限于器件最大的耗散功率。
4.受限于最大單個脈沖電流。
5.擊穿電壓BVDSS限制區(qū)
電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導致的電源失效問題的產生。
SOA失效的預防措施：
1.確保在最差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。
2.將OCP功能一定要做精確細致。
在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據IC的保護電壓比如0.7V開始調試RSENSE電阻。有經驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內。但是此時有個更值得關注的參數，那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影響呢，看下面FLYBACK電流波形圖：
電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關斷后，MOSFET本身也開始執(zhí)行關斷，但是由于器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設計不足時，就極有可能產生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。
3.合理的熱設計余量。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。
諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。
靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。
柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
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