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二極管類型及符號大全,含義圖文介紹

發(fā)布時間：2024-07-08 18:30:40
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二極管類型及符號大全,含義圖文介紹

二極管是用半導體材料制成的一種電子器件，由PN結、外部引線、管殼封裝而成，文字符號為VD。二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極稱為陽極（正極），由N區(qū)引出的電極稱為陰極（負極）；因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。
二極管類型符號大全

二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，其本質是在外加正向電壓的作用下，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子在不斷進行擴散運動，兩者與PN結處中的正負離子不斷進行中和，從而使PN結范圍不斷變窄，最后導通。

二極管的類型

1、根據(jù)半導體材料來劃分，有兩種，分別是鍺二極管(Ge管)、硅二極管(Si管)。

2、根據(jù)用途來劃分有九種，分別是檢波二極管、整流二極管、齊納二極管、開關二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關二極管、旋轉二極管等。

3、根據(jù)管芯結構劃分有三種，分別是點接觸型二極管、面接觸型二極管和平面型二極管。

二極管符號大全及電路圖形符號：
二極管類型符號大全

二極管符號含義：

CT---勢壘電容

Cj---結(極間)電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

Cjv---偏壓結電容

Co---零偏壓電容

Cjo---零偏壓結電容

Cjo/Cjn---結電容變化

Cs---管殼電容或封裝電容

Ct---總電容

CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC---電容溫度系

Cvn---標稱電容

IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流;硅整流管。硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值),硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

IF(AV)---正向平均電流

IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。

IH---恒定電流。維持電流。

Ii---發(fā)光二極管起輝電流

IFRM---正向重復峰值電流

IFSM---正向不重復峰值電流(浪涌電流)

Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

IF(ov)---正向過載電流

IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID---暗電流

IB2---單結晶體管中的基極調制電流

IEM---發(fā)射極峰值電流

IEB10---雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流

ICM---最大輸出平均電流

IFMP---正向脈沖電流

IP---峰點電流

IV---谷點電流

IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流

IGFM---控制極正向峰值電流

IR(AV)---反向平均電流

IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時，給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流;硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM---反向峰值電流

IRR---晶閘管反向重復平均電流

IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流

IRRM---反向重復峰值電流

IRSM---反向不重復峰值電流(反向浪涌電流)

Irp---反向恢復電流

Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

Izk---穩(wěn)壓管膝點電流

IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流

IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF---正向總瞬時電流

iR---反向總瞬時電流

ir---反向恢復電流

Iop---工作電流

Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f---頻率

n---電容變化指數(shù);電容比

Q---優(yōu)值(品質因素)

δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt---通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

PB---承受脈沖燒毀功率

PFT(AV)---正向導通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向導通總瞬時耗散功率

Pd---耗散功率

PG---門極平均功率

PGM---門極峰值功率

PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi---輸入功率

PK---最大開關功率

PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏過脈沖功率

PMS---最大承受脈沖功率

Po---輸出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---總耗散功率

Pomax---最大輸出功

Psc---連續(xù)輸出功率

PSM---不重復浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF(r)---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V,正向電流相應增加△I,則△V/△I稱微分電阻

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

RE---射頻電阻

RL---負載電阻

Rs(rs)----串聯(lián)電阻

Rth----熱阻

R(th)ja----結到環(huán)境的熱阻

Rz(ru)---動態(tài)電阻

R(th)jc---結到殼的熱阻

rδ---衰減電阻

r(th)---瞬態(tài)電阻

Ta---環(huán)境溫度

Tc---殼溫

td---延遲時間

tf---下降時間

tfr---正向恢復時間

tg---電路換向關斷時間

tgt---門極控制極開通時間

Tj---結溫

Tjm---最高結溫

ton---開通時間

toff---關斷時間

tr---上升時間

trr---反向恢復時間

ts---存儲時間

tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

a---溫度系數(shù)

λp---發(fā)光峰值波長

△λ---光譜半寬度

η---單結晶體管分壓比或效率

VB---反向峰值擊穿電壓

Vc---整流輸入電壓

VB2B1---基極間電壓

VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB---飽和壓降

VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)

VF---正向壓降(正向直流電壓)

△VF---正向壓降差

VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓

VGT---門極觸發(fā)電壓

VGD---門極不觸發(fā)電壓

VGFM---門極正向峰值電壓

VGRM---門極反向峰值電壓

VF(AV)---正向平均電壓

Vo---交流輸入電壓

VOM---最大輸出平均電壓

Vop---工作電壓

Vn---中心電壓

Vp---峰點電壓

VR---反向工作電壓(反向直流電壓)

VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)

V(BR)---擊穿電壓

Vth---閥電壓(門限電壓)

VRRM---反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓)

VRWM---反向工作峰值電壓

Vv---谷點電壓

Vz---穩(wěn)定電壓

△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs---通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av---電壓溫度系數(shù)

Vk---膝點電壓(穩(wěn)流二極管)

VL---極限電壓CT---勢壘電容